جي پي
Gallium phosphide (GaP) کرسٽل هڪ انفراريڊ آپٽيڪل مواد آهي جيڪو سٺي سطح جي سختي، اعلي حرارتي چالکائي ۽ وسيع بينڊ ٽرانسميشن سان آهي.ان جي شاندار جامع نظريي، مشيني ۽ حرارتي ملڪيت جي ڪري، GaP ڪرسٽل فوجي ۽ ٻين تجارتي اعلي ٽيڪنالاجي جي ميدان ۾ لاڳو ڪري سگهجي ٿو.
| بنيادي ملڪيت | |
| کرسٽل جي جوڙجڪ | زنڪ بلينڊ |
| سميٽري جو گروپ | Td2-F43m |
| 1 سينٽي ميٽرن ۾ ايٽم جو تعداد3 | 4.94·1022 |
| Auger recombination coefficient | 10-30سي ايم6/s |
| ڊيبي جي درجه حرارت | 445 ڪي |
| کثافت | 4.14 گرام سينٽ-3 |
| Dielectric مسلسل (جامد) | 11.1 |
| Dielectric مسلسل (اعلي تعدد) | 9.11 |
| مؤثر اليڪٽران ماسml | 1.12mo |
| مؤثر اليڪٽران ماسmt | 0.22mo |
| مؤثر سوراخ عوامmh | 0.79mo |
| مؤثر سوراخ عوامmlp | 0.14mo |
| اليڪٽران لاڳاپو | 3.8 eV |
| لاٽ مسلسل | 5.4505 اي |
| بصري فونون توانائي | 0.051 |
| ٽيڪنيڪل پيراگراف | |
| هر جزو جي ٿلهي | 0.002 ۽ 3 +/-10٪ ايم ايم |
| اورينٽيشن | 110 - 110 |
| سطح جي معيار | scr-dig 40-20 - 40-20 |
| چِٽي | 633 nm تي لهرون - 1 |
| متوازيت | آرڪ منٽ <3 |
